Оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокр. IGZO) — полупроводниковый материал, который может быть использован как канал для прозрачных тонкоплёночных транзисторов. Эти материалы могут являться заменой аморфного кремния для активного слоя ЖК-экранов. Подвижность электронов этого материала в сорок раз выше, чем у аморфного кремния, что позволяет уменьшить размер пикселя (для получения разрешения намного выше, чем формат HDTV) или время отклика экрана.

Ссылки

• Photosensitivity of amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays. Архивировано из первоисточника 26 января 2013.
• JUSUNG Engineering Succeeds in MOCVD IGZO TFT Process and Equipment Development as the First in the World. Архивировано из первоисточника 26 января 2013.
• Sharp starts punching out IGZO LCDs for retina screens
• AUO Reveals 65-inch 4K by 2K IGZO TV Panel Technology. Архивировано из первоисточника 26 января 2013.