18-10-2023
Алексей Фёдорович Кардо-Сысоев | |
---|---|
Дата рождения | 7 июня 1941 (82 года) |
Место рождения | Ленинград |
Страна | СССР→ Россия |
Научная сфера | импульсная техника |
Место работы | ФТИ им. Иоффе РАН |
Альма-матер | ЛЭТИ |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Награды и премии |
Алексе́й Фёдорович Кардо́-Сысо́ев (род. 7 июня 1941 года, гор. Ленинград) — советский и российский физик, специалист в области физики мощных быстродействующих полупроводниковых приборов и импульсной электроники, доктор наук. Лауреат Госпремии СССР (1987). Главный научный сотрудник-консультант ФТИ РАН в Санкт-Петербурге.
Принадлежит к роду Кардо-Сысоевых. Мать, Елена Константиновна Кардо-Сысоева, — биолог, доктор биологических наук. Дед, Константин Николаевич Кардо-Сысоев, — хирург-офтальмолог, доктор медицины, умер в Ленинграде в 1942 году[1]. В 1942 году после смерти деда Алексей вместе с семьёй был эвакуирован из блокадного Ленинграда.
В 1958 году окончил среднюю школу № 1 гор. Салехарда[2]. В 1964 году окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина).
По завершении обучения в вузе три года работал инженером в Ленинградском институте телевидения[3].
С 1967 года — сотрудник Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе. Доктор физико-математических наук (1988). Работа А. Ф. Кардо-Сысоева в ФТИ в основном связана с лабораторией мощных полупроводниковых приборов. В настоящее время занимает должность главного научного сотрудника-консультанта в этой лаборатории.
Проводит исследования в области сверхбыстрых процессов накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в мощных высоковольтных полупроводниковых приборах, импульсной полупроводниковой схемотехнике[3]. Один из создателей нового научно-технического направления — мощной импульсной полупроводниковой электроники нано- и субнано- секундного диапазона.
Экспериментально обнаружил эффект задержанного ударно-ионизационного пробоя высоковольтных p-n переходов (совместно с И. В. Греховым). На основе этого эффекта были созданы такие импульсные ударно-ионизационные переключатели субнаносекундного диапазона, как кремниевые диодные обострители импульсов и динисторы с быстрой ионизацией. В англоязычной литературе эти приборы стали известны под названиями Silicon Avalanche Sharpening diode (SAS), Fast Ionization Dynistor (FID). Появление SAS-диода увеличило мощность, коммутируемую полупроводниковыми приборами в субнаносекудном диапазоне, сразу на 4 порядка. Разработал дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ, англ.: Drift Step Recovery Diode, DSRD) — мощный импульсный переключатель наносекундного диапазона.
Разработки SAS-диода и ДДРВ сформировали элементную базу мощной импульсной полупроводниковой электроники субнаносекундного диапазона. Это позволило создать компактные высокоэффективные генераторы высоковольтных импульсов, к настоящему времени коммерциализированные[4].
Автор свыше 100 научных публикаций[5]. Избранные работы:
Лауреат Государственной премии СССР 1987 года «За разработку новых принципов коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами»[6].
Кардо-Сысоев, Алексей Фёдорович.